ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC060N10NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC046N13NM6ATMA1 por Infineon y ISC060N10NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC046N13NM6ATMA1 ISC060N10NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,08 $1,43
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 135 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 142 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 211 W —
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (TJ)
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6 (thin-wafer trench)
Gate Drive (recommended) 10 V (typical) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Series — OptiMOS 6 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 15 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 97 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typical)
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 125 W
Encapsulado — PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm)
Polarity — N-Channel
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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