ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC060N10NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISC046N13NM6ATMA1 par Infineon et ISC060N10NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISC046N13NM6ATMA1 ISC060N10NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,08 $1,43
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 135 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 142 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 211 W —
Boîtier / Format PG-TDSON-8 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55 °C to +175 °C (TJ)
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6 (thin-wafer trench)
Gate Drive (recommended) 10 V (typical) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Series — OptiMOS 6 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 15 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 97 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typical)
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at Ta — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 125 W
Boîtier — PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm)
Polarity — N-Channel
Niveau MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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