ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC0703NLSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC046N13NM6ATMA1 por Infineon y ISC0703NLSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC046N13NM6ATMA1 ISC0703NLSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,08 $0,51
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 6 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 135 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 142 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC 211 W —
Encapsulado / Carcasa PG-TDSON-8 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +175 C -55C to +150C (junction)
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET Trench MOSFET (OptiMOS family)
Gate Drive (recommended) 10 V (typical) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 57 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 44 W
Encapsulado — PG-TDSON-8 (5x6 mm)
Standard Package Quantity — 5,000 (reel)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

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