ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC0703NLSATMA1 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок ISC046N13NM6ATMA1 от Infineon и ISC0703NLSATMA1 от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | ISC046N13NM6ATMA1 | ISC0703NLSATMA1 |
|---|---|---|
| Бренд | Infineon | Infineon |
| Категория | MOSFETs | MOSFETs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $1,08 | $0,51 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| Корпус / Типоразмер | PG-TDSON-8 | — |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Диапазон рабочих температур | -55 C to +175 C | -55C to +150C (junction) |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | Trench MOSFET (OptiMOS family) |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 57 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 44 W |
| Корпус | — | PG-TDSON-8 (5x6 mm) |
| Standard Package Quantity | — | 5,000 (reel) |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS rating] |