ISC058N04NM5ATMA1 vs BSC059N04LSGATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC058N04NM5ATMA1 por Infineon y BSC059N04LSGATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC058N04NM5ATMA1 BSC059N04LSGATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,60 $0,39
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 5 40V Normal Level —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 63 A 73 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 17 A 16 A
On-Resistance Rds(on) max @ VGS=10V, ID=31A 5.8 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.4 V —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 42 W —
Encapsulado PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET OptiMOS 3 (N-channel trench MOSFET)
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +175C -55 C to +150 C
RoHS Compliance RoHS Compliant —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL per JEDEC J-STD-020 —
Gate Drive Level Normal Level (10V VGS recommended) —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.9 mOhm
Power Dissipation (Tc=25C) — 50 W
Power Dissipation (Ta=25C) — 2.5 W
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 1.2 V to 2.0 V (typ)
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg total, typical nC]
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS — Compliant
REACH Status — Compliant
Channel Type — N-Channel

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