ISC151N08NM6ATMA1 vs IPB051N15NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon y IPB051N15NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISC151N08NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,78 $2,02
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 150 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) 9.2 A —
Corriente de drenador continua (TC=25°C) 37 A —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
On-Resistance RDS(on) max 15.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Technology OptiMOS 6 —
Encapsulado PG-TDSON-8 FL —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Número de pines 8 —
Channel Mode Enhancement —
Temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C —
Estado RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 6
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 139 A
RDS(on) Typical at VGS=10 V — 5.1 mOhm
Gate Charge (Qg) Typical — 51 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 234 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +175C
Encapsulado / Carcasa — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Recuento de pines — 3 (Drain, Source, Gate)
Nivel MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes

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