ISC151N08NM6ATMA1 vs IPB051N15NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISC151N08NM6ATMA1 por Infineon e IPB051N15NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISC151N08NM6ATMA1 ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 - 80V 37A N-Ch MOSFET | Infineon TDSON-8

ISC151N08NM6ATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro ISC151N08NM6ATMA1 IPB051N15NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,78 $2,02
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 150 V
Continuous Drain Current (TA=25°C) 9.2 A —
Corrente de dreno contínua (TC=25°C) 37 A —
Power Dissipation (TA) 3 W —
Power Dissipation (TC) 48 W —
On-Resistance RDS(on) max 15.1 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.5 V —
Technology OptiMOS 6 —
Encapsulamento PG-TDSON-8 FL —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Número de pinos 8 —
Channel Mode Enhancement —
Temperatura de operação -55 °C to +175 °C —
Status RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 6
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 18 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 139 A
RDS(on) Typical at VGS=10 V — 5.1 mOhm
Gate Charge (Qg) Typical — 51 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 234 W
Faixa de temperatura de operação — -55C to +175C
Encapsulamento / Caixa — PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Contagem de pinos — 3 (Drain, Source, Gate)
Nível MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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