ISCH99N04NM7VATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISCH99N04NM7VATMA1 por Infineon y BSC019N04LSTATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISCH99N04NM7VATMA1 BSC019N04LSTATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,48 $1,21
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current at Ta (I_D) 40 A —
Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) 284 A —
Power Dissipation at Ta (P_D) 3 W —
Power Dissipation at Tc (P_D) 150 W —
Gate Threshold Voltage (V_th) Up to 3.2 V —
Encapsulado PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 7 Trench Power MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Operating Mode Enhancement-mode —
Target Application 12 V to 48 V Motor Drives —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
Rango de temperatura de funcionamiento — -55 C to +150 C
Nivel MSL — 1 (unlimited)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

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