ISCH99N04NM7VATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 比較

詳細な並列比較: ISCH99N04NM7VATMA1 メーカー: Infineon および BSC019N04LSTATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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ISCH99N04NM7VATMA1 ISCH99N04NM7VATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

ISCH99N04NM7VATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon

ISCH99N04NM7VATMA1 ✓ 生産中
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BSC019N04LSTATMA1 BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 - 40V N-Ch OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon

BSC019N04LSTATMA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ ISCH99N04NM7VATMA1 BSC019N04LSTATMA1
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $1.21
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current at Ta (I_D) 40 A —
Pulsed Drain Current at Tc (I_DM) 284 A —
Power Dissipation at Ta (P_D) 3 W —
Power Dissipation at Tc (P_D) 150 W —
Gate Threshold Voltage (V_th) Up to 3.2 V —
パッケージ PG-TDSON-8 (TDSON-8 FL) TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant
Technology OptiMOS 7 Trench Power MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Operating Mode Enhancement-mode —
Target Application 12 V to 48 V Motor Drives —
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 161 A
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) — 28 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 1.9 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 1.7 V
Total Gate Charge Qg typ — 85 nC
Power Dissipation PD (Tc=25C) — 94 W
動作温度範囲 — -55 C to +150 C
MSLレベル — 1 (unlimited)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — Yes

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