ISK057N04LM6ATSA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISK057N04LM6ATSA1 por Infineon y BSC014N04LSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISK057N04LM6ATSA1 BSC014N04LSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,30 $0,74
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 15 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 64 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 39.1 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 8.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 12 nC —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF —
Output Capacitance (Coss) 290 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 21 pF —
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C -55C to +175C
Encapsulado PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 6 Trench Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Nivel MSL — 1 (unlimited)

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