ISK057N04LM6ATSA1 vs BSC014N04LSATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISK057N04LM6ATSA1 par Infineon et BSC014N04LSATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISK057N04LM6ATSA1 ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 - 40V 64A OptiMOS 6 N-MOSFET PG-VSON-6-1

ISK057N04LM6ATSA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISK057N04LM6ATSA1 BSC014N04LSATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,30 $0,74
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 15 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 64 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 2.1 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 39.1 W —
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: typical RDS(on) at 10V] —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 8.3 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.3 V (typ) —
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V 12 nC —
Input Capacitance (Ciss) 870 pF —
Output Capacitance (Coss) 290 pF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 21 pF —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C -55C to +175C
Boîtier PG-VSON-6-1 (PQFN 2x2 mm) SuperSO8 (TDSON-8 FL) 5x6 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Technology OptiMOS 6 Trench Trench (OptiMOS 5, thin-wafer)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 5
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 32 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
RDS(on) max at VGS=10 V — 1.4 mOhm
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Power Dissipation at Tc — 96 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — 20 V
Niveau MSL — 1 (unlimited)

Fiches techniques et ressources

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