ISZ023N06LM6ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Comparación
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Infineon
ISZ023N06LM6ATMA1 - 60V 149A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ023N06LM6ATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | ISZ023N06LM6ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,95 | $0,82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 60 V | OptiMOS 3 |
| Part Number | ISZ023N06LM6 | — |
| Orderable Part Number | ISZ023N06LM6ATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | 2x N-Channel MOSFET array |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 24 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID, Tc) | 149 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | 65 W |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | -55C to +175C | — |
| Nivel MSL | 1 | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Configuration | Single | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| Temperatura de unión de funcionamiento | — | -55 C to +175 C |
| Encapsulado / Carcasa | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |