ISZ023N06LM6ATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 比較
詳細な並列比較: ISZ023N06LM6ATMA1 メーカー: Infineon および BSC076N04NDATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | ISZ023N06LM6ATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.95 | $0.82 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 60 V | OptiMOS 3 |
| Part Number | ISZ023N06LM6 | — |
| Orderable Part Number | ISZ023N06LM6ATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | 2x N-Channel MOSFET array |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 24 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID, Tc) | 149 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | 65 W |
| パッケージ | PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount) | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | -55C to +175C | — |
| MSLレベル | 1 | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Configuration | Single | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V (max, typical) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| 動作接合温度 | — | -55 C to +175 C |
| パッケージ / ケース | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |