ISZ023N06LM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de ISZ023N06LM6ATMA1 por Infineon y ISZ072N06NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Infineon
ISZ023N06LM6ATMA1 - 60V 149A OptiMOS 6 N-Channel MOSFET | Infineon
ISZ023N06LM6ATMA1 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | ISZ023N06LM6ATMA1 | ISZ072N06NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,95 | $0,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 6 60 V | — |
| Part Number | ISZ023N06LM6 | — |
| Orderable Part Number | ISZ023N06LM6ATMA1 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 6 trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 24 A | — |
| Pulsed Drain Current (ID, Tc) | 149 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 100 W | — |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount) | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | -55C to +175C | — |
| Nivel MSL | 1 | 1 |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Configuration | Single | — |
| Product Family | — | OptiMOS 6 60V |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 57 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 12.7 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 7.2 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 3.3 V (typ) |
| Disipación de potencia (TC=25°C) | — | 50 W |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -55C to +175C ( Tj max 175C ) |