ISZ023N06LM6ATMA1 vs ISZ072N06NM6ATMA1 비교

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Infineon
ISZ072N06NM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 - 60V 57A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ072N06NM6ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 ISZ023N06LM6ATMA1 ISZ072N06NM6ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.95 $0.38
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 60 V —
Part Number ISZ023N06LM6 —
Orderable Part Number ISZ023N06LM6ATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide) OptiMOS 6 trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 24 A —
Pulsed Drain Current (ID, Tc) 149 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 100 W —
패키지 PG-TSDSON-8-34 (Surface Mount) PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -55C to +175C —
MSL 레벨 1 1
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Configuration Single —
Product Family — OptiMOS 6 60V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 57 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 12.7 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 7.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 3.3 V (typ)
전력 손실 (TC=25°C) — 50 W
동작 온도 범위 — -55C to +175C ( Tj max 175C )

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