ISZ025N06NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISZ025N06NM6ATMA1 por Infineon y ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro ISZ025N06NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,02 $3,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 60 V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 137 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 22 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.3 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Encapsulado PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

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