ISZ025N06NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ025N06NM6ATMA1 par Infineon et ISC037N12NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ025N06NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,02 $3,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 60 V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 137 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 22 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.3 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Boîtier PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Fiches techniques et ressources

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