ISZ025N06NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de ISZ025N06NM6ATMA1 por Infineon e ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro ISZ025N06NM6ATMA1 ISC037N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,02 $3,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 6 60 V —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 137 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 22 A —
Maximum RDS(on) at VGS=10V 2.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) 3.3 V —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 100 W —
Encapsulamento PG-TSDSON-8-34 (5x6 mm) PG-TDSON-8 FL (SuperSO8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +175 °C -55C to +175C (junction)
Gate Drive Voltage (VGS) ±20 V max —
Technology Trench MOSFET OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET)
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL [DATA_NEEDED: MSL moisture sensitivity level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Drain-Source Voltage (Vds) — 120 V
Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C — 19.2 A
Pulsed Drain Current (Idm) at Tc — 163 A
On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V — 3.7 mOhm
Power Dissipation at Ta — 3 W
Power Dissipation at Tc — 214 W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) value]
Gate Charge (Qg) typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)

Fichas técnicas e recursos

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