ISZ072N06NM6ATMA1 vs ISZ173N15NM6ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de ISZ072N06NM6ATMA1 por Infineon y ISZ173N15NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | ISZ072N06NM6ATMA1 | ISZ173N15NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,38 | $1,18 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 57 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 12.7 A | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.2 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.3 V (typ) | — |
| Disipación de potencia (TC=25°C) | 50 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8-34 (TSDSON-8 FL) | PG-TSDSON-8 FL |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55C to +175C ( Tj max 175C ) | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 6 trench-gate MOSFET |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Nivel MSL | 1 | — |
| Series | — | OptiMOS 6 150V |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 7.9 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 48 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 94 W |
| Operating Mode | — | Enhancement Mode |
| Application | — | Hard and soft switching, high/low frequency |
| Lead-Free | — | Yes |
| Tape & Reel Quantity | — | 5000 |