ISZ230N10NM6ATMA1 vs IPTC017N12NM6ATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de ISZ230N10NM6ATMA1 por Infineon y IPTC017N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro ISZ230N10NM6ATMA1 IPTC017N12NM6ATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,71 $3,95
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (Ta) 7.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 31 A —
Power Dissipation (Ta) 3 W 3.8 W
Power Dissipation (Tc) 48 W 395 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 23 mΩ (typ, ID=10A) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.3 V (typ at 13 µA) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET
Encapsulado PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) PG-HDSOP-16 (Surface Mount)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V 10 V
Nivel MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Family OptiMOS 6 (100V class) —
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 32 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 331 A
On-State Resistance RDS(on) max — 1.7 mΩ at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold VGS(th) — 2.4 V (typ)
Total Gate Charge QG — 141 nC at VGS = 10 V
Input Capacitance Ciss — 2.4 nF at VDS = 60 V
Output Capacitance Coss — 11000 pF at VDS = 60 V
Temperatura de funcionamiento — -55 °C to +175 °C (TJ max)

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