ISZ230N10NM6ATMA1 vs IPTC017N12NM6ATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de ISZ230N10NM6ATMA1 par Infineon et IPTC017N12NM6ATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISZ230N10NM6ATMA1 ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 - 100V 31A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

ISZ230N10NM6ATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre ISZ230N10NM6ATMA1 IPTC017N12NM6ATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $3,95
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 120 V
Continuous Drain Current (Ta) 7.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 31 A —
Power Dissipation (Ta) 3 W 3.8 W
Power Dissipation (Tc) 48 W 395 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V 23 mΩ (typ, ID=10A) —
Gate Threshold Voltage VGS(th) 3.3 V (typ at 13 µA) —
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET
Boîtier PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) PG-HDSOP-16 (Surface Mount)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (junction) —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V 10 V
Niveau MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Family OptiMOS 6 (100V class) —
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 32 A
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 331 A
On-State Resistance RDS(on) max — 1.7 mΩ at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold VGS(th) — 2.4 V (typ)
Total Gate Charge QG — 141 nC at VGS = 10 V
Input Capacitance Ciss — 2.4 nF at VDS = 60 V
Output Capacitance Coss — 11000 pF at VDS = 60 V
Température de fonctionnement — -55 °C to +175 °C (TJ max)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis