ISZ230N10NM6ATMA1 vs IPTC017N12NM6ATMA1 比較
詳細な並列比較: ISZ230N10NM6ATMA1 メーカー: Infineon および IPTC017N12NM6ATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | ISZ230N10NM6ATMA1 | IPTC017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $0.71 | $3.95 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 7.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 31 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 3.8 W |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | 395 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 23 mΩ (typ, ID=10A) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 3.3 V (typ at 13 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET |
| パッケージ | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-HDSOP-16 (Surface Mount) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度範囲 | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | 10 V |
| MSLレベル | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Family | OptiMOS 6 (100V class) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 331 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 2.4 V (typ) |
| Total Gate Charge QG | — | 141 nC at VGS = 10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 2.4 nF at VDS = 60 V |
| Output Capacitance Coss | — | 11000 pF at VDS = 60 V |
| 動作温度 | — | -55 °C to +175 °C (TJ max) |