ISZ230N10NM6ATMA1 vs ISC037N12NM6ATMA1 Comparación
Comparación detallada lado a lado de ISZ230N10NM6ATMA1 por Infineon y ISC037N12NM6ATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | ISZ230N10NM6ATMA1 | ISC037N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoría | MOSFETs | MOSFETs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,71 | $3,62 |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 7.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 31 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 23 mΩ (typ, ID=10A) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 3.3 V (typ at 13 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | OptiMOS 6 (N-channel trench MOSFET) |
| Encapsulado | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -55 °C to +150 °C (junction) | -55C to +175C (junction) |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Nivel MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Family | OptiMOS 6 (100V class) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 120 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta=25C | — | 19.2 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) at Tc | — | 163 A |
| On-Resistance Rds(on) typ at Vgs=10V | — | 3.7 mOhm |
| Power Dissipation at Ta | — | 3 W |
| Power Dissipation at Tc | — | 214 W |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) value] |
| Gate Charge (Qg) typ | — | [DATA_NEEDED: Qg total] |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |