K3LKBKB0BM-MGCP vs K3K8K80BM-MGCP Comparación
Comparación detallada lado a lado de K3LKBKB0BM-MGCP por Samsung Electronics y K3K8K80BM-MGCP por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K3LKBKB0BM-MGCP - 32Gbit LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung
K3LKBKB0BM-MGCP ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K3LKBKB0BM-MGCP | K3K8K80BM-MGCP |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $46,62 | $0,00 |
| Tipo de memoria | DRAM (LPDDR5 SDRAM) | LPDDR5 SDRAM (DRAM) |
| Tamaño de memoria | 32 Gbit | — |
| Organización de memoria | 1G x 32 | 2G x 32 |
| Velocidad de datos | 6400 Mbps per pin | 6400 Mbps |
| Supply Voltage Rails | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V | — |
| Interfaz | LPDDR5 x32 | LPDDR5 (CMOS) |
| Encapsulado | FBGA-315 | FBGA-315 (PBGA315) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | -25C to +85C | -25C to +85C |
| Technology Generation | LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 family) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Density per Package | 4 GB (32 Gbit) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh (LPDDR5 standard) | — |
| Application Segment | Mobile, embedded, industrial computing | — |
| Standby / Deep Sleep | LPDDR5 deep-sleep power states | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Access Time / Latency | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Density | — | 64 Gb |
| Supply Voltages | — | 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V |
| Technology | — | CMOS |
| Memory Category | — | Volatile DRAM |
| Lead Free | — | Yes |
| Application Class | — | Specialized ICs / Memory |
| I/O Width | — | 32-bit |