K3LKBKB0BM-MGCP vs K3K8K80BM-MGCP Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K3LKBKB0BM-MGCP от Samsung Electronics и K3K8K80BM-MGCP от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K3LKBKB0BM-MGCP K3LKBKB0BM-MGCP - 32Gbit LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKBKB0BM-MGCP - 32Gbit LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKBKB0BM-MGCP ✓ Активен
Samsung Electronics
K3K8K80BM-MGCP K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3LKCKC0BM-MGCP - 64Gb LPDDR5 DRAM 6400Mbps | Samsung

K3K8K80BM-MGCP ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K3LKBKB0BM-MGCP K3K8K80BM-MGCP
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $46,62 $0,00
Тип памяти DRAM (LPDDR5 SDRAM) LPDDR5 SDRAM (DRAM)
Размер памяти 32 Gbit —
Организация памяти 1G x 32 2G x 32
Скорость передачи данных 6400 Mbps per pin 6400 Mbps
Supply Voltage Rails 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V —
Интерфейс LPDDR5 x32 LPDDR5 (CMOS)
Корпус FBGA-315 FBGA-315 (PBGA315)
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Рабочая температура -25C to +85C -25C to +85C
Technology Generation LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 family) —
Статус RoHS Compliant Compliant
Density per Package 4 GB (32 Gbit) —
Refresh Self-refresh and auto-refresh (LPDDR5 standard) —
Application Segment Mobile, embedded, industrial computing —
Standby / Deep Sleep LPDDR5 deep-sleep power states —
Уровень MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Access Time / Latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Density — 64 Gb
Supply Voltages — 500 mV, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V
Technology — CMOS
Memory Category — Volatile DRAM
Lead Free — Yes
Application Class — Specialized ICs / Memory
I/O Width — 32-bit

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену