K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WD-BCTD Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A4G165WE-BCTD por Samsung Electronics y K4A4G165WD-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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K4A4G165WE-BCTD K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung

K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung

K4A4G165WE-BCTD ✓ Activo
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K4A4G165WD-BCTD K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM x16 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WD-BCTD ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A4G165WE-BCTD K4A4G165WD-BCTD
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría DRAM Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $11,38 $19,00
Tipo de memoria DDR4 SDRAM (volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 4 Gbit —
Memory Organization 256M x 16 —
Interfaz Parallel, x16 SSTL-12
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) 1.2 V
Die Generation E-die —
Encapsulado FBGA-96 (TFBGA) 96-ball FBGA
Terminal Count 96 —
Temperatura de funcionamiento 0C to +85C 0C to +85C (commercial)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA)
Speed Grade [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] —
Estado RoHS Compliant (per JLCPCB listing) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Status Active —
Datasheet Revision K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 —
Burst Length BL8 (JEDEC DDR4) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4) —
Density — 4 Gbit
Organización de memoria — 256M x 16
Velocidad de datos — 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade)
Core Supply (VPP) — 2.5 V
Data Mask — Yes (DM per byte lane)
Bank Architecture — 16 banks / 4 bank groups
On-Die Termination — Dynamic ODT
ZQ Calibration — Yes (external RZQ resistor)
CRC / CA Parity — CRC read/write support
Reset — Asynchronous reset (RESET_n)

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