K4A4G165WE-BCTD vs K4A4G165WD-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G165WE-BCTD par Samsung Electronics et K4A4G165WD-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G165WE-BCTD | K4A4G165WD-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $11,38 | $19,00 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Memory Organization | 256M x 16 | — |
| Interface | Parallel, x16 | SSTL-12 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2 V |
| Die Generation | E-die | — |
| Boîtier | FBGA-96 (TFBGA) | 96-ball FBGA |
| Terminal Count | 96 | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0C to +85C (commercial) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Speed Grade | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Product Status | Active | — |
| Datasheet Revision | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 | — |
| Burst Length | BL8 (JEDEC DDR4) | — |
| Bank Group Architecture | Yes (DDR4) | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Débit de données | — | 2666 Mbps/pin (-BCTD speed grade) |
| Core Supply (VPP) | — | 2.5 V |
| Data Mask | — | Yes (DM per byte lane) |
| Bank Architecture | — | 16 banks / 4 bank groups |
| On-Die Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes (external RZQ resistor) |
| CRC / CA Parity | — | CRC read/write support |
| Reset | — | Asynchronous reset (RESET_n) |