K4A8G085WB vs K4A8G085WC-BCTD Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WB por Samsung Electronics y K4A8G085WC-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ Activo
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K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ Última compra

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G085WB K4A8G085WC-BCTD
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Última compra
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $5,20 $50,85
Tipo de memoria DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organización de memoria 1G x 8 1G x 8
Tensión de alimentación 1.2 V —
Encapsulado 78-pin FBGA 78-ball FBGA (78FBGA)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Operating Mode DLL Enabled mode (per datasheet) —
Speed Grade Suffixes -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) —
Velocidad de datos [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] 2666 Mbps (PC4-2133)
tCL/cas latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank/bank group count] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Termination Voltage (VTT) [DATA_NEEDED: VTT value] —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Ball Pitch — 0.8 mm
Standard Operating Temp Range — 0C to +85C
Burst Length — 8 (chop 4)
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes
Tipo de interfaz — Synchronous, parallel

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