K4A8G085WB vs K4A8G085WC-BCTD Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WB par Samsung Electronics et K4A8G085WC-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ Actif
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ Dernier achat

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G085WB K4A8G085WC-BCTD
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Dernier achat
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,20 $50,85
Type de mémoire DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organisation de la mémoire 1G x 8 1G x 8
Tension d'alimentation 1.2 V —
Boîtier 78-pin FBGA 78-ball FBGA (78FBGA)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Operating Mode DLL Enabled mode (per datasheet) —
Speed Grade Suffixes -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) —
Débit de données [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] 2666 Mbps (PC4-2133)
tCL/cas latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank/bank group count] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Termination Voltage (VTT) [DATA_NEEDED: VTT value] —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Ball Pitch — 0.8 mm
Standard Operating Temp Range — 0C to +85C
Burst Length — 8 (chop 4)
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes
Type d'interface — Synchronous, parallel

Fiches techniques et ressources

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