K4A8G085WB vs K4A8G085WC-BCTD Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K4A8G085WB por Samsung Electronics e K4A8G085WC-BCTD por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K4A8G085WB K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB - 8Gb B-die DDR4 SDRAM 1Gx8 | Samsung

K4A8G085WB ✓ Ativo
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung

K4A8G085WC-BCTD ⚠ Última compra

Comparação de especificações

Parâmetro K4A8G085WB K4A8G085WC-BCTD
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Última compra
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $5,20 $50,85
Tipo de memória DDR4 SDRAM (B-die) DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Organização da memória 1G x 8 1G x 8
Tensão de alimentação 1.2 V —
Encapsulamento 78-pin FBGA 78-ball FBGA (78FBGA)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Operating Mode DLL Enabled mode (per datasheet) —
Speed Grade Suffixes -BCRC, -BIRC, -BCTD, -BCPB (per family naming) —
Taxa de dados [DATA_NEEDED: speed grade data rate in Mbps] 2666 Mbps (PC4-2133)
tCL/cas latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x] —
Bank Groups [DATA_NEEDED: bank/bank group count] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Termination Voltage (VTT) [DATA_NEEDED: VTT value] —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Ball Pitch — 0.8 mm
Standard Operating Temp Range — 0C to +85C
Burst Length — 8 (chop 4)
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic ODT — Yes
Data Mask — Yes
Tipo de interface — Synchronous, parallel

Fichas técnicas e recursos

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