K4A8G085WC-BCTD vs K4A8G085WC-BIWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WC-BCTD por Samsung Electronics y K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Última compraComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WC-BCTD | K4A8G085WC-BIWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Última compra | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $50,85 | $6,29 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps (PC4-2133) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C | — |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | 8 (BL8), 4 (BC4) |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Tipo de interfaz | Synchronous, parallel | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -40°C to +95°C |
| Interfaz | — | POD-12 |
| Latencia CAS | — | 22 (CL22) |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| Lead-Free | — | Yes |