K4A8G085WC-BCTD vs MT40A1G8SA-075:E Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WC-BCTD por Samsung Electronics y MT40A1G8SA-075:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Última compraComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WC-BCTD | MT40A1G8SA-075:E |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Última compra | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $50,85 | $6,30 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 1G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps (PC4-2133) | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2V ±60mV |
| Encapsulado | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-FBGA (7.5x11 mm) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C | — |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Supported |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Tipo de interfaz | Synchronous, parallel | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Tamaño de memoria | — | 8Gbit (1G x 8) |
| Interfaz | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Write Leveling | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |
| Data Mask Function | — | Supported |