K4A8G085WC-BCTD vs MT40A1G8SA-075:E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BCTD par Samsung Electronics et MT40A1G8SA-075:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Dernier achatComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BCTD | MT40A1G8SA-075:E |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Dernier achat | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $50,85 | $6,30 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | SDRAM - DDR4 |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps (PC4-2133) | 2666 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | 1.2V ±60mV |
| Boîtier | 78-ball FBGA (78FBGA) | 78-FBGA (7.5x11 mm) |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | — |
| Standard Operating Temp Range | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 (chop 4) | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Supported |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Type d'interface | Synchronous, parallel | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Taille de mémoire | — | 8Gbit (1G x 8) |
| Interface | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Write Leveling | — | Supported |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Supported |
| Data Mask Function | — | Supported |