K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WB-BICH Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BICH por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,29 | $4,96 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 78-FBGA | 78-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Interfaz | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | BL8, BL16 |
| Latencia CAS | 22 (CL22) | Programmable |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tensión de alimentación | — | 1.2V |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to 85°C |
| Max Supply Current | — | 170mA |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Die Revision | — | B-die |