K4A8G085WC-BIWE vs K4A8G085WC-BCTD Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WC-BIWE por Samsung Electronics y K4A8G085WC-BCTD por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Última compraComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WC-BIWE | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Última compra |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,29 | $50,85 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Encapsulado | 78-FBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Interfaz | POD-12 | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8 (chop 4) |
| Latencia CAS | 22 (CL22) | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0C to +95C |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Tipo de interfaz | — | Synchronous, parallel |