K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WC-BCTD por Samsung Electronics y K4A8G165WC-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $41,20 | $23,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2400 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C | 0°C to +95°C (case) |
| Encapsulado | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Revision | C-die | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes (240 ohm resistor to GND) | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Interfaz | — | 16-bit I/O |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Latencia CAS | — | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Refresh | — | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| RoHS | — | Compliant |