K4A8G165WC-BCTD vs K4A8G165WC-BCRC 비교
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Samsung Electronics
K4A8G165WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 2666Mbps | Samsung
K4A8G165WC-BCTD ✓ 활성
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WC-BCTD | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $41.20 | $23.00 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| 데이터 속도 | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2400 Mbps |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| Operating Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| 동작 온도 | 0C to +95C | 0°C to +95°C (case) |
| 패키지 | 96FBGA (96-ball Fine-Pitch Ball Grid Array) | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Revision | C-die | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes (240 ohm resistor to GND) | — |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| 인터페이스 | — | 16-bit I/O |
| Banks | — | 16 (4 bank groups) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable (e.g., 16, 17, 18) |
| Refresh | — | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) |
| RoHS | — | Compliant |