K4AAG165WM-BCWE vs K4AAG165WA-BCWE Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4AAG165WM-BCWE por Samsung Electronics y K4AAG165WA-BCWE por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4AAG165WM-BCWE | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $54,65 | $62,40 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 (1G x 16) | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Interfaz | Parallel (DDR4) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] | -40C to +95C |
| Die Revision | W (WM suffix) | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Operating Frequency | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) | — |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Tipo de interfaz | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |