K4AAG165WM-BCWE vs K4AAG165WA-BCWE Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4AAG165WM-BCWE от Samsung Electronics и K4AAG165WA-BCWE от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4AAG165WM-BCWE | K4AAG165WA-BCWE |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | DRAM | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $54,65 | $62,40 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 (1G x 16) | — |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Интерфейс | Parallel (DDR4) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V | — |
| Supply Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| Access Time (Clock Cycle Time) | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] | — |
| Задержка CAS | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Корпус | 78-ball FBGA | 96-ball FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] | -40C to +95C |
| Die Revision | W (WM suffix) | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant |
| Operating Frequency | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) | — |
| Размер памяти | — | 16 Gb (2 GB) |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Напряжение питания | — | 1.2 V |
| Package Dimensions | — | 13 x 9 mm |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Тип интерфейса | — | Parallel, DDR4 |
| Memory Format | — | DRAM (Volatile) |
| Technology | — | DDR4 SDRAM, 8n prefetch, bank group architecture |
| Packaging | — | Tray |
| Product Status | — | Active |