K4B4G1646 vs K4B4G1646D-BCMA0 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646 por Samsung Electronics y K4B4G1646D-BCMA0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Fin de vidaComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646 | K4B4G1646D-BCMA0 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Fin de vida |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $11,96 | $5,90 |
| Tipo de memoria | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interfaz | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Tensión de alimentación | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.5 V |
| Encapsulado | 96-FBGA | 96-FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C | 0°C to 85°C |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Velocidad de datos | — | 1866 Mbps |
| Memory Interface | — | Parallel |
| RoHS | — | Compliant |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |
| Estado del ciclo de vida | — | EOL |
| Technology | — | DDR3 |
| Number of Terminals | — | 96 |