K4B4G1646 vs K4B4G1646D-BCMA0 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646 von Samsung Electronics und K4B4G1646D-BCMA0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ AbgekündigtSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646 | K4B4G1646D-BCMA0 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Ende des Lebenszyklus |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $11,96 | $5,90 |
| Speichertyp | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Versorgungsspannung | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.5 V |
| Gehäuse | 96-FBGA | 96-FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C | 0°C to 85°C |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Datenrate | — | 1866 Mbps |
| Memory Interface | — | Parallel |
| RoHS | — | Compliant |
| Halogenfrei | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |
| Lebenszyklusstatus | — | EOL |
| Technology | — | DDR3 |
| Number of Terminals | — | 96 |