K4B4G1646 vs K4B4G1646D-BCMA0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646 par Samsung Electronics et K4B4G1646D-BCMA0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCMA0 - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | Samsung
K4B4G1646D-BCMA0 ✗ Fin de vieComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646 | K4B4G1646D-BCMA0 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Fin de vie |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $11,96 | $5,90 |
| Type de mémoire | DDR3 SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | Parallel | — |
| Max Data Rate | Up to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Clock Frequency Range | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) | — |
| Tension d'alimentation | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) | 1.5 V |
| Boîtier | 96-FBGA | 96-FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | 0°C to 85°C |
| On-Chip Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Die Revisions | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Débit de données | — | 1866 Mbps |
| Memory Interface | — | Parallel |
| RoHS | — | Compliant |
| Sans halogène | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |
| Statut du cycle de vie | — | EOL |
| Technology | — | DDR3 |
| Number of Terminals | — | 96 |