K4B4G1646D-BCH90 vs K4B4G1646E-BMMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BCH90 por Samsung Electronics y K4B4G1646E-BMMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCH90 ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BCH90 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,50 | $16,08 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Velocidad de datos | 2133 Mb/s per pin | 1600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Latencia CAS | 9-14 clocks (programmable) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes (Dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Interfaz | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| RoHS | — | Compliant |