K4B4G1646D-BCH90 vs K4B4G1646E-BMMA Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BCH90 от Samsung Electronics и K4B4G1646E-BMMA от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCH90 ✓ Активен
Сравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BCH90 | K4B4G1646E-BMMA |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,50 | $16,08 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Организация памяти | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Скорость передачи данных | 2133 Mb/s per pin | 1600 Mbps |
| Напряжение питания | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Рабочая температура | 0°C to +85°C | -40°C to +95°C |
| Задержка CAS | 9-14 clocks (programmable) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8 and 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes (Dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | — |
| Интерфейс | — | Parallel |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| RoHS | — | Compliant |