K4B4G1646D-BCK0 vs AS4C256M16D3L-12BCN Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BCK0 por Samsung Electronics y AS4C256M16D3L-12BCN por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BCK0 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,30 | $6,00 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps per pin | 1600 Mbps |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Latencia CAS | 11 (programmable) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gbit |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bit |
| Frecuencia de reloj máxima | — | 800 MHz |
| Tensión de alimentación | — | 1.35 V |
| Estilo de montaje | — | SMD/SMT |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0C to +95C (Tc) |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Tipo de interfaz | — | Parallel |
| Número de pines | — | 96 |