K4B4G1646D-BCK0 vs AS4C256M16D3L-12BCN Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BCK0 par Samsung Electronics et AS4C256M16D3L-12BCN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BCK0 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,30 | $6,00 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Débit de données | 1600 Mbps per pin | 1600 Mbps |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Latence CAS | 11 (programmable) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Fréquence d'horloge maximale | — | 800 MHz |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V |
| Style de montage | — | SMD/SMT |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0C to +95C (Tc) |
| Sans halogène | — | Yes |
| Type d'interface | — | Parallel |
| Nombre de broches | — | 96 |