K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BYH9 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BHMA por Samsung Electronics y K4B4G1646D-BYH9 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,90 | $2,30 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps | 1333 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C (TC) | 0 ~ 85 °C |
| Latencia CAS | 13 (at 1866 Mbps) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Sin halógenos | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Die Version | D-die | D-die |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |