K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BYH9 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BHMA от Samsung Electronics и K4B4G1646D-BYH9 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,90 | $2,30 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Скорость передачи данных | 1866 Mbps | 1333 Mbps |
| Напряжение питания | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V |
| Корпус | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| Рабочая температура | -40°C to +95°C (TC) | 0 ~ 85 °C |
| Задержка CAS | 13 (at 1866 Mbps) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Без галогенов | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Die Version | D-die | D-die |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |