K4B4G1646D-BHMA vs K4B4G1646D-BYH9 비교
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Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BHMA | K4B4G1646D-BYH9 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.90 | $2.30 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps | 1333 Mbps |
| 공급 전압 | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V |
| 패키지 | 96-ball FBGA | 96FBGA |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C (TC) | 0 ~ 85 °C |
| CAS 레이턴시 | 13 (at 1866 Mbps) | Programmable |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 할로겐 프리 | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | Yes |
| Die Version | D-die | D-die |
| Refresh Mode | Auto and Self Refresh | — |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Internal Calibration | — | Yes |