K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16HA-107AAT:E Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BYH9 por Samsung Electronics y MT41K256M16HA-107AAT:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActivoMicron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16HA-107AAT:E |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,30 | $5,95 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 1333 Mbps | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35V |
| Temperatura de funcionamiento | 0 ~ 85 °C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Encapsulado | 96FBGA | 96-FBGA (9x14mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latencia CAS | Programmable | 13 (typical) |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Tipo de memoria | — | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Interfaz | — | Parallel |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |